WND35P12BJ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 60.56 грн |
| 1600+ | 47.51 грн |
| 2400+ | 44.72 грн |
| 5600+ | 39.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WND35P12BJ WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції WND35P12BJ за ціною від 37.97 грн до 112.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WND35P12BJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 7152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WND35P12BJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Diodes - General Purpose, Power, Switching WND35P12B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
на замовлення 4778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WND35P12BJ | Виробник : Ween |
WND35P12B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| WND35P12BJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 35A; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.35V Mounting: SMD Max. forward voltage: 1.35V Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 35A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK; SOT404 Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 0.4kA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| WND35P12BJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 35A; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.35V Mounting: SMD Max. forward voltage: 1.35V Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 35A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK; SOT404 Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 0.4kA |
товар відсутній |