Продукція > EVVO > WNM2021-EV
WNM2021-EV

WNM2021-EV EVVO


WNM2021-EV.pdf?rlkey=iqgid06hxfpzg8uf8lze6h470&st=64xjm5h5&dl=0
Виробник: EVVO
Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET SOT-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNM2021-EV EVVO

Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET SOT-, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції WNM2021-EV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNM2021-EV WNM2021-EV Виробник : EVVO WNM2021-EV.pdf?rlkey=iqgid06hxfpzg8uf8lze6h470&st=64xjm5h5&dl=0 Description: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.