WNSC04650T6J

WNSC04650T6J WeEn Semiconductors


WNSC04650T.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.1 грн
10+ 132.41 грн
100+ 106.39 грн
500+ 82.03 грн
1000+ 68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC04650T6J WeEn Semiconductors

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: DFN8x8N, Kind of package: reel; tape, Max. forward impulse current: 24A, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції WNSC04650T6J за ціною від 62.49 грн до 158.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WNSC04650T6J WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T-1830545.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.89 грн
10+ 139.73 грн
100+ 98.14 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 66.49 грн
3000+ 62.76 грн
6000+ 62.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC04650T6J WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товар відсутній
WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
товар відсутній