WNSC06650T6J WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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Технічний опис WNSC06650T6J WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz.
Інші пропозиції WNSC06650T6J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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WNSC06650T6J | WeEn Semiconductors |
SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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WNSC06650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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WNSC06650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| WNSC06650T6J |
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Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| WNSC06650T6J |
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Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WNSC06650T6J |
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Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)