WNSC08650T6J WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.12 грн |
| 10+ | 205.55 грн |
| 100+ | 146.12 грн |
| 500+ | 124.59 грн |
| 1000+ | 105.02 грн |
| 3000+ | 100.46 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC08650T6J WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC08650T6J за ціною від 121.59 грн до 244.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC08650T6J | WeEn Semiconductors |
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE |
на замовлення 2876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| WNSC08650T6J |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.28 грн |
| 10+ | 211.71 грн |
| 100+ | 173.49 грн |
| 500+ | 138.60 грн |
| 1000+ | 121.59 грн |