WNSC101200Q

WNSC101200Q WeEn Semiconductors


WNSC101200-1624820.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+521.85 грн
10+ 462.19 грн
100+ 359.18 грн
1000+ 348.49 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC101200Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції WNSC101200Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WNSC101200Q WNSC101200Q Виробник : WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf WNSC101200.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.4V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
WNSC101200Q WNSC101200Q Виробник : WeEn Semiconductors WNSC101200.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товар відсутній
WNSC101200Q WNSC101200Q Виробник : WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf WNSC101200.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.4V
товар відсутній