Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WNSC10650T6J
WNSC10650T6J

WNSC10650T6J WEEN SEMICONDUCTORS

WNSC10650T.pdf Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+189.62 грн
500+141.49 грн
1000+119.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC10650T6J WEEN SEMICONDUCTORS

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC10650T6J за ціною від 119.00 грн до 304.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC10650T6J WNSC10650T6J Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS WNSC10650T.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+279.35 грн
10+235.33 грн
100+189.62 грн
500+141.49 грн
1000+119.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC10650T-1830562.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.61 грн
10+269.02 грн
100+191.67 грн
500+162.99 грн
1000+137.34 грн
3000+132.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC10650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.