WNSC201200WQ WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 648.57 грн |
| 5+ | 596.14 грн |
| 10+ | 543.72 грн |
| 50+ | 494.45 грн |
| 100+ | 447.43 грн |
| 250+ | 437.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC201200WQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції WNSC201200WQ за ціною від 483.35 грн до 850.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
WNSC201200WQ | Виробник : Ween |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
WNSC201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 40A Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 220A Load current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
| WNSC201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
WNSC201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 40A Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 220A Load current: 20A |
товар відсутній |