
WNSC201200WQ WEEN SEMICONDUCTORS

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 596.89 грн |
5+ | 557.37 грн |
10+ | 517.85 грн |
50+ | 441.11 грн |
100+ | 369.78 грн |
250+ | 354.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC201200WQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 52nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції WNSC201200WQ за ціною від 531.35 грн до 935.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
WNSC201200WQ | Виробник : Ween |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
WNSC201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
WNSC201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 20A Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 40A |
товару немає в наявності |