WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.06 грн |
| 500+ | 28.74 грн |
| 1000+ | 25.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200.
Інші пропозиції WNSC2D021200D6J за ціною від 25.50 грн до 37.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WNSC2D021200D6J | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | Виробник : Ween |
WNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 26A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |