WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D04650DJ за ціною від 36.40 грн до 130.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WNSC2D04650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 4667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WNSC2D04650DJ | Виробник : Ween |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
WNSC2D04650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
WNSC2D04650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A |
товару немає в наявності |