Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WNSC2D04650Q
WNSC2D04650Q

WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors

WNSC2D04650.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.42 грн
10+85.36 грн
100+49.18 грн
500+40.32 грн
1000+35.28 грн
2000+32.84 грн
5000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC2D04650Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2D04650Q Виробник : Ween WNSC2D04650.pdf WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q WNSC2D04650Q Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D04650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8D0705D960780D4&compId=WNSC2D04650Q.pdf?ci_sign=bcd58e96945379d399835a8c48f5d5874319942a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.