Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WNSC2D04650Q

WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors

Name: WNSC2D04650Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 5049467-4
Price: 432.6 UAH
Availability: InStock

Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	108.15 грн
10+	91.37 грн
100+	57.90 грн
500+	46.79 грн
1000+	39.14 грн
5000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC2D04650Q

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
WNSC2D04650Q	Виробник : Ween	WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
WNSC2D04650Q	Виробник : WeEn Semiconductors	Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
WNSC2D04650Q	Виробник : WeEn Semiconductors	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V Technology: SiC Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A Max. forward voltage: 2.2V Max. load current: 8A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.