WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 38.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції WNSC2D04650TJ за ціною від 31.43 грн до 146.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC2D04650TJ | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
WNSC2D04650TJ | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
WNSC2D04650TJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 10503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | Виробник : Ween |
Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
WNSC2D04650TJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Technology: SiC Case: DFN8x8N Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Load current: 4A Max. forward impulse current: 24A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying |
товару немає в наявності |