WNSC2D04650XQ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.32 грн |
| 50+ | 64.46 грн |
| 100+ | 57.67 грн |
| 500+ | 42.95 грн |
| 1000+ | 39.35 грн |
| 2000+ | 36.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D04650XQ WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220F, Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції WNSC2D04650XQ за ціною від 60.70 грн до 142.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC2D04650XQ | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
WNSC2D04650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
WNSC2D04650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube Technology: SiC Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.7V Load current: 4A Max. forward impulse current: 20A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying |
товару немає в наявності |