WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors
                                                Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 52.11 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 9nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised. 
Інші пропозиції WNSC2D06650DJ за ціною від 51.93 грн до 177.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        WNSC2D06650DJ | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS | 
            
                         Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised  | 
        
                             на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
                      | 
        WNSC2D06650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors | 
            
                         Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V  | 
        
                             на замовлення 5198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
| WNSC2D06650DJ | Виробник : Ween | 
            
                         Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        ||||||||||||||
| 
             | 
        WNSC2D06650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors | 
            
                         Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||
                      | 
        WNSC2D06650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors | 
            
                         Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Load current: 6A Max. forward impulse current: 36A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

