Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WNSC2D06650TJ
WNSC2D06650TJ

WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors


Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+185.39 грн
10+115.44 грн
100+79.34 грн
500+59.98 грн
1000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A.

Інші пропозиції WNSC2D06650TJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ
WNSC2D06650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ
WNSC2D06650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.