Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WNSC2D06650TJ
WNSC2D06650TJ

WNSC2D06650TJ WEEN SEMICONDUCTORS

3204985.pdf Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.43 грн
500+46.75 грн
1000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D06650TJ WEEN SEMICONDUCTORS

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC2D06650TJ за ціною від 43.09 грн до 190.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3204985.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.51 грн
100+50.43 грн
500+46.75 грн
1000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ Виробник : WeEn Semiconductors Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.42 грн
10+118.28 грн
100+81.33 грн
500+61.49 грн
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ Виробник : WeEn Semiconductors Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ Виробник : WeEn Semiconductors Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJ Виробник : WeEn Semiconductors Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.