WNSC2D101200WQ WEEN SEMICONDUCTORS


3204989.pdf
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.94 грн
10+219.14 грн
100+157.23 грн
500+142.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D101200WQ WEEN SEMICONDUCTORS

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції WNSC2D101200WQ за ціною від 129.98 грн до 377.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200W.pdf SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.60 грн
10+285.87 грн
100+200.41 грн
250+189.93 грн
600+178.76 грн
1200+152.92 грн
3000+144.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.85 грн
10+236.62 грн
100+170.17 грн
600+133.64 грн
1200+129.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200W.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+344.60 грн
10+285.87 грн
100+200.41 грн
250+189.93 грн
600+178.76 грн
1200+152.92 грн
3000+144.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQ WNSC2D101200W.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+377.85 грн
10+236.62 грн
100+170.17 грн
600+133.64 грн
1200+129.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.