
WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 327.33 грн |
10+ | 219.82 грн |
100+ | 163.02 грн |
600+ | 132.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції WNSC2D101200WQ за ціною від 150.21 грн до 367.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC2D101200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
WNSC2D101200WQ | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
WNSC2D101200WQ | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
WNSC2D101200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 72A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A Max. forward voltage: 1.88V |
товару немає в наявності |