WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors


WNSC2D10650B.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції WNSC2D10650BJ за ціною від 68.47 грн до 262.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3672592.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.49 грн
500+79.64 грн
1000+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3672592.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.71 грн
10+98.37 грн
100+92.49 грн
500+79.64 грн
1000+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D10650B-2902684.pdf SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.09 грн
10+165.49 грн
100+108.68 грн
500+91.44 грн
800+77.95 грн
2400+75.70 грн
4800+74.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D10650B.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.69 грн
10+165.60 грн
100+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ Виробник : Ween WNSC2D10650B.pdf WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8D0BBD15D3580D4&compId=WNSC2D10650BJ.pdf?ci_sign=367434d122ac38c9b79d939c73ee4802f482d2ea Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.