WNSC2D10650DJ

WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors


WNSC2D10650D.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції WNSC2D10650DJ за ціною від 59.35 грн до 244.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3204990.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.46 грн
500+69.97 грн
1000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3204990.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.06 грн
10+113.06 грн
100+81.46 грн
500+69.97 грн
1000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D10650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.31 грн
10+153.42 грн
100+106.96 грн
500+81.76 грн
1000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ Виробник : Ween wnsc2d10650d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D10650D.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJ WNSC2D10650DJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D10650D.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.