WNSC2D10650Q WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 166.70 грн |
| 10+ | 105.15 грн |
| 100+ | 77.03 грн |
| 500+ | 70.41 грн |
| 1000+ | 63.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D10650Q WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: NO, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції WNSC2D10650Q за ціною від 57.23 грн до 216.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WNSC2D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WNSC2D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
