Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WNSC2D12650TJ
WNSC2D12650TJ

WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors

WNSC2D12650T.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.65 грн
10+ 185.82 грн
100+ 150.34 грн
500+ 125.41 грн
1000+ 107.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC2D12650TJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WNSC2D12650TJ WNSC2D12650TJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D12650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товар відсутній
WNSC2D12650TJ WNSC2D12650TJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D12650T-2902806.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній