Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > WNSC2D12650TJ

WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors

Name: WNSC2D12650TJ
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 43321008-3
Price: 534.04 UAH
Availability: InStock

Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	267.02 грн
10+	177.93 грн
100+	130.47 грн
500+	102.86 грн
1000+	101.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC2D12650TJ

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	WNSC2D12650TJ	Виробник : WeEn Semiconductors	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	WNSC2D12650TJ	Виробник : WeEn Semiconductors	Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.