WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors


WNSC2D16650CW-2401252.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+229.73 грн
240+191.92 грн
1200+127.09 грн
2640+120.10 грн
5040+118.01 грн
10080+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції WNSC2D16650CWQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CW.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CW.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.