
WNSC2D201200CWQ WEEN SEMICONDUCTORS

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 600.81 грн |
5+ | 458.86 грн |
10+ | 401.09 грн |
50+ | 346.38 грн |
100+ | 314.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D201200CWQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції WNSC2D201200CWQ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
WNSC2D201200CWQ | Виробник : Ween |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
WNSC2D201200CWQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
WNSC2D201200CWQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
WNSC2D201200CWQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 72A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. load current: 20A |
товару немає в наявності |