WNSC2D20650CJQ

WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors


WNSC2D20650CJ__1_-2578783.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.83 грн
10+356.17 грн
100+250.26 грн
250+236.32 грн
480+222.37 грн
960+177.61 грн
2880+136.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-3PF, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC2D20650CJQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Technology: SiC
Case: SOT1293; TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.