WNSC6D01650MBJ

WNSC6D01650MBJ WeEn Semiconductors


WNSC6D01650MB.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+49.96 грн
6000+ 46.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC6D01650MBJ WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SMB, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції WNSC6D01650MBJ за ціною від 47.52 грн до 111.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WNSC6D01650MBJ WNSC6D01650MBJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC6D01650MB.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.22 грн
10+ 88.6 грн
100+ 70.53 грн
500+ 56.01 грн
1000+ 47.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D01650MBJ Виробник : Ween WNSC6D01650MB.pdf WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
WNSC6D01650MBJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC6D01650MBJ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D01650MBJ Виробник : WeEn Semiconductors WNSC6D01650MBJ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A
товар відсутній