WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 177.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 36nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції WNSC6D20650B6J за ціною від 193.62 грн до 681.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WNSC6D20650B6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
на замовлення 4518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
WNSC6D20650B6J | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
WNSC6D20650B6J | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| WNSC6D20650B6J | Виробник : Ween |
WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |
||||||||||
| WNSC6D20650B6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
SiC Schottky Diodes WNSC6D20650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |