WPB4002

WPB4002 onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+612.88 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WPB4002 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc), Supplier Device Package: TO-3PB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V.

Інші пропозиції WPB4002 за ціною від 697.33 грн до 697.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WPB4002 Виробник : ONSEMI SSCLS00161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - WPB4002 - WPB4002, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+697.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WPB4002 WPB4002 Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.