XP0431100L

XP0431100L Panasonic Electronic Components


XP04311_Rev_Nov_2011.pdf Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz, 80MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMINI6-G1
на замовлення 1771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
21+14.79 грн
100+11.08 грн
500+8.96 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP0431100L Panasonic Electronic Components

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, 80MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SMINI6-G1.

Інші пропозиції XP0431100L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP0431100L XP04311_Rev_Nov_2011.pdf
на замовлення 21490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP0431100L XP0431100L Виробник : Panasonic Electronic Components XP04311_Rev_Nov_2011.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz, 80MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMINI6-G1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.