| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.29 грн |
| 10+ | 76.76 грн |
| 100+ | 52.18 грн |
| 500+ | 44.17 грн |
| 1000+ | 36.02 грн |
| 3000+ | 33.86 грн |
| 6000+ | 32.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10A250YT XSemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3).
Інші пропозиції XP10A250YT за ціною від 32.68 грн до 139.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP10A250YT | Виробник : YAGEO XSemi |
 MOSFETs Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10A250YT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10A250YT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3) |
товару немає в наявності |