Продукція > YAGEO XSEMI > XP10A250YT
XP10A250YT

XP10A250YT YAGEO XSEMI

XP10A250YT.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10A250YT YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10A250 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10A250YT за ціною від 35.11 грн до 146.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10A250YT XP10A250YT Виробник : XSemi XP10A250YT-3132655.pdf MOSFET Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.61 грн
10+83.53 грн
100+56.79 грн
500+48.07 грн
1000+39.20 грн
3000+36.85 грн
6000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT Виробник : YAGEO XSEMI XP10A250YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10A250 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.44 грн
10+88.46 грн
100+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT Виробник : YAGEO XSemi XP10A250YT-3367853.pdf MOSFETs Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.69 грн
10+90.68 грн
100+53.91 грн
500+43.14 грн
1000+39.66 грн
3000+37.68 грн
6000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT Виробник : YAGEO XSEMI XP10A250YT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.00 грн
10+89.41 грн
100+60.19 грн
500+44.71 грн
1000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT Виробник : X-Semi (YAGEO) id-2949336-xp10a250yt.pdf Dual N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10A250YT XP10A250YT Виробник : YAGEO XSEMI XP10A250YT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.