Продукція > YAGEO XSEMI > XP10C150M
XP10C150M

XP10C150M YAGEO XSEMI

XP10C150M.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10C150M YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10C150 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10C150M за ціною від 24.37 грн до 163.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10C150M XP10C150M Виробник : YAGEO XSEMI XP10C150M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.57 грн
20+41.25 грн
100+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M Виробник : YAGEO XSEMI XP10C150M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.50 грн
10+61.39 грн
100+42.32 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M Виробник : YAGEO XSemi XP10C150M-3367819.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 100V/-1
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.04 грн
10+66.00 грн
100+39.56 грн
500+31.41 грн
1000+28.70 грн
3000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M Виробник : XSemi XP10C150M-3132717.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 100V/-1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.54 грн
10+145.17 грн
100+101.28 грн
500+82.93 грн
1000+69.35 грн
3000+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M Виробник : X-Semi (YAGEO) id-4390969-xp10c150m.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP10C150M XP10C150M Виробник : YAGEO XSEMI XP10C150M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.