XP10C150M YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.16 грн |
| 10+ | 60.47 грн |
| 100+ | 41.69 грн |
| 500+ | 32.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10C150M YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10C150 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції XP10C150M за ціною від 31.58 грн до 31.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
XP10C150M | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10C150 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
XP10C150M | YAGEO XSemi |
MOSFETs Complementary N ch + P ch 100V/-1 |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
XP10C150M | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10C150 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| XP10C150M | X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| XP10C150M |
![]() |
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XP10C150M |
![]() |
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 100V/-1
MOSFETs Complementary N ch + P ch 100V/-1
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| XP10C150M |
![]() |
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10C150 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XP10C150M |
![]() |
Виробник: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET
N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.58 грн |




