Продукція > YAGEO XSEMI > XP10N3R5XT
XP10N3R5XT

XP10N3R5XT YAGEO XSEMI

XP10N3R5XT.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10N3R5XT YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10N3R5 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції XP10N3R5XT за ціною від 64.45 грн до 193.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.92 грн
11+73.77 грн
100+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.73 грн
10+128.20 грн
100+90.35 грн
500+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT XSemi XP10N3R5XT-3132689.pdf MOSFET N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT YAGEO XSemi XP10N3R5XT.pdf MOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 3500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.92 грн
11+73.77 грн
100+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.73 грн
10+128.20 грн
100+90.35 грн
500+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT-3132689.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: XSemi
MOSFET N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT.pdf
XP10N3R5XT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.