XP10N3R5XT

XP10N3R5XT YAGEO XSEMI


XP10N3R5XT.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10N3R5XT YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10N3R5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10N3R5XT за ціною від 64.45 грн до 520.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10N3R5XT XP10N3R5XT Виробник : YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.95 грн
10+131.66 грн
100+92.79 грн
500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT Виробник : YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.37 грн
10+138.65 грн
100+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT Виробник : YAGEO XSemi XP10N3R5XT-3367800.pdf MOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.14 грн
10+142.98 грн
100+88.28 грн
500+77.25 грн
3000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT Виробник : XSemi XP10N3R5XT-3132689.pdf MOSFET N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.13 грн
10+439.94 грн
25+347.24 грн
100+318.55 грн
250+300.16 грн
500+281.03 грн
1000+267.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT Виробник : X-Semi (YAGEO) id-9690786-xp10n3r5xt.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R5XT XP10N3R5XT Виробник : YAGEO XSEMI XP10N3R5XT.pdf Description: FET N-CH 100V 28.5A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.