Продукція > YAGEO XSEMI > XP10N3R8IT
XP10N3R8IT

XP10N3R8IT YAGEO XSemi

XP10N3R8IT.pdf
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.68 грн
10+94.19 грн
100+72.99 грн
500+58.51 грн
1000+51.41 грн
2500+49.88 грн
5000+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10N3R8IT YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10N3R8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10N3R8IT за ціною від 69.66 грн до 271.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP10N3R8IT XP10N3R8IT YAGEO XSEMI XP10N3R8IT.pdf Description: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.50 грн
50+134.72 грн
100+122.47 грн
500+109.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT YAGEO XSEMI XP10N3R8IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT X-Semi (YAGEO) id-2373888-xp10n3r8it.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+115.01 грн
100+95.41 грн
250+87.51 грн
500+79.55 грн
1000+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT.pdf
XP10N3R8IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.50 грн
50+134.72 грн
100+122.47 грн
500+109.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT XP10N3R8IT.pdf
XP10N3R8IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8IT id-2373888-xp10n3r8it.pdf
Виробник: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+115.01 грн
100+95.41 грн
250+87.51 грн
500+79.55 грн
1000+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.