| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.71 грн |
| 10+ | 83.51 грн |
| 100+ | 64.87 грн |
| 500+ | 52.16 грн |
| 1000+ | 48.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10N3R8IT YAGEO XSemi
Description: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220CFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V.
Інші пропозиції XP10N3R8IT за ціною від 111.02 грн до 276.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10N3R8IT | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|