XP10N3R8IT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.71 грн |
| 50+ | 143.26 грн |
| 100+ | 130.23 грн |
| 500+ | 115.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10N3R8IT YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10N3R8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10N3R8IT за ціною від 55.83 грн до 296.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10N3R8IT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP10N3R8IT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10N3R8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| XP10N3R8IT | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|