XP10N3R8P

XP10N3R8P YAGEO XSEMI


XP10N3R8P.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.00388 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.07 грн
10+164.23 грн
100+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10N3R8P YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.00388 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10N3R8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10N3R8P за ціною від 57.67 грн до 593.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10N3R8P XP10N3R8P Виробник : YAGEO XSemi XP10N3R8P-3367834.pdf MOSFETs N-CH 100V 130 A TO-220
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.72 грн
10+136.21 грн
100+100.05 грн
500+87.55 грн
1000+77.98 грн
5000+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P Виробник : YAGEO XSEMI XP10N3R8P.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.07 грн
50+122.15 грн
100+110.37 грн
500+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P XP10N3R8P Виробник : XSemi XP10N3R8P-3132712.pdf MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.08 грн
10+500.85 грн
25+395.80 грн
100+363.43 грн
250+341.36 грн
500+320.02 грн
1000+288.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10N3R8P Виробник : X-Semi (YAGEO) id-9679696-xp10n3r8p.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.