XP10N3R8P YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.00388 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10N3R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 180.32 грн |
| 10+ | 116.53 грн |
| 100+ | 98.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10N3R8P YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.00388 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10N3R8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10N3R8P за ціною від 58.09 грн до 611.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10N3R8P | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10N3R8P | Виробник : XSemi |
MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| XP10N3R8P | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
XP10N3R8P | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 130 A TO-220 |
товару немає в наявності |