XP10NA011H YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10NA011H YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10NA011 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10NA011H за ціною від 83.13 грн до 255.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP10NA011H | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10NA011 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP10NA011H | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP10NA011H | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-252 |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| XP10NA011H | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
XP10NA011H | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V |
товару немає в наявності |