XP10NA011J YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.68 грн |
| 80+ | 60.68 грн |
| 160+ | 59.48 грн |
| 560+ | 55.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10NA011J YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.13W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10NA011 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10NA011J за ціною від 21.78 грн до 245.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10NA011J | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-251 |
на замовлення 7862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10NA011J | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.13W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10NA011 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10NA011J | Виробник : XSemi |
MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| XP10NA011J | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|