XP10NA011J YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.38 грн |
| 80+ | 32.45 грн |
| 160+ | 28.90 грн |
| 560+ | 22.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10NA011J YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V.
Інші пропозиції XP10NA011J за ціною від 18.67 грн до 232.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10NA011J | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-251 |
на замовлення 6679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10NA011J | Виробник : XSemi |
MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|