XP10NA011J YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 132.90 грн |
| 10+ | 92.27 грн |
| 100+ | 60.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10NA011J YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.13W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10NA011 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10NA011J за ціною від 25.19 грн до 251.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10NA011J | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-251 |
на замовлення 7862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10NA011J | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10NA011J | Виробник : XSemi |
MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| XP10NA011J | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|