Продукція > YAGEO XSEMI > XP10NA1R5TL
XP10NA1R5TL

XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI

XP10NA1R5TL.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+441.87 грн
10+293.26 грн
100+219.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 347A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 3.75W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: XP10NA1R5 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції XP10NA1R5TL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSemi XP10NA1R5TL.pdf MOSFETs N-CH 100V 300 A TOLL
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 300 A TOLL
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL.pdf
XP10NA1R5TL
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 1500 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.