XP10NA1R5TL

XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI


XP10NA1R5TL.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+340.02 грн
100+250.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10NA1R5TL YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 347A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.75W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: XP10NA1R5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10NA1R5TL за ціною від 201.58 грн до 515.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL Виробник : YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.04 грн
10+296.88 грн
100+228.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL Виробник : YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 347A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP10NA1R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+493.52 грн
10+340.02 грн
100+250.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL Виробник : YAGEO XSemi XP10NA1R5TL-3367920.pdf MOSFETs N-CH 100V 300 A TOLL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.84 грн
10+350.26 грн
100+230.27 грн
250+229.53 грн
500+214.08 грн
1000+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL Виробник : X-Semi (YAGEO) id-5253304-xp10na1r5tl.pdf N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL Виробник : YAGEO XSEMI XP10NA1R5TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.