XP10NA8R4IT

XP10NA8R4IT YAGEO XSemi


XP10NA8R4IT.pdf
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.42 грн
10+52.04 грн
100+36.45 грн
500+30.86 грн
1000+28.28 грн
2500+27.37 грн
10000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10NA8R4IT YAGEO XSemi

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220CFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220CFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V.

Інші пропозиції XP10NA8R4IT за ціною від 46.63 грн до 120.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10NA8R4IT XP10NA8R4IT Виробник : YAGEO XSEMI XP10NA8R4IT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.19 грн
50+66.55 грн
100+60.74 грн
500+49.71 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.