XP10NA8R4IT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP10NA8R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0084 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA8R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.74 грн |
| 10+ | 107.29 грн |
| 100+ | 84.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10NA8R4IT YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA8R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0084 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10NA8R4 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10NA8R4IT за ціною від 33.23 грн до 133.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10NA8R4IT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3248 pF @ 80 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10NA8R4IT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 44A TO-220CFM-T |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| XP10NA8R4IT | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|