XP10P500N YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.41 грн |
| 10+ | 51.63 грн |
| 100+ | 34.85 грн |
| 500+ | 26.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10P500N YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.38W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10P500N_ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10P500N за ціною від 40.56 грн до 127.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10P500N | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10P500N_ Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10P500N | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23 |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10P500N | Виробник : XSemi |
MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10P500N | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10P500N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10P500N_ Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| XP10P500N | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
P-channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
XP10P500N | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |