XP10P500N YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.60 грн |
| 10+ | 51.10 грн |
| 100+ | 34.49 грн |
| 500+ | 26.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10P500N YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції XP10P500N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10P500N | XSemi |
MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
XP10P500N | YAGEO XSemi |
MOSFET P-CH -100V -1 .2A SOT-23 |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |