XP10TN028YT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.49 грн |
| 10+ | 41.23 грн |
| 100+ | 27.63 грн |
| 500+ | 21.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10TN028YT YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V.
Інші пропозиції XP10TN028YT за ціною від 12.29 грн до 64.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10TN028YT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|