XP10TN028YT

XP10TN028YT YAGEO XSEMI


XP10TN028YT.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10TN028YT YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.125W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10TN028 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10TN028YT за ціною від 19.31 грн до 191.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP10TN028YT XP10TN028YT Виробник : YAGEO XSEMI XP10TN028YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN028YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.125W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP10TN028 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.97 грн
30+28.14 грн
100+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT Виробник : YAGEO XSEMI XP10TN028YT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+41.77 грн
100+27.99 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT Виробник : YAGEO XSemi XP10TN028YT-3367854.pdf MOSFET N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.40 грн
10+156.52 грн
100+108.88 грн
250+100.79 грн
500+91.22 грн
1000+83.13 грн
3000+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT Виробник : X-Semi (YAGEO) id-496691-xp10tn028yt.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN028YT XP10TN028YT Виробник : YAGEO XSEMI XP10TN028YT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.