XP10TN135H YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10TN135H YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10TN135H Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm.
Інші пропозиції XP10TN135H за ціною від 7.33 грн до 125.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10TN135H | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 100V 8.1 A TO-252 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10TN135H | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.1 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10TN135H Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10TN135H | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|