на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.17 грн |
| 16+ | 20.52 грн |
| 100+ | 11.51 грн |
| 500+ | 8.58 грн |
| 1000+ | 7.97 грн |
| 3000+ | 6.06 грн |
| 6000+ | 5.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP10TN135K YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.78W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10TN135K Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP10TN135K за ціною від 15.34 грн до 94.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10TN135K | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.78W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10TN135K Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10TN135K | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.78W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10TN135K Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP10TN135K | Виробник : XSemi |
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP10TN135K | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| XP10TN135K | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
XP10TN135K | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |