Продукція > YAGEO XSEMI > XP10TN135K
XP10TN135K

XP10TN135K YAGEO XSEMI

XP10TN135K.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135K Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+29.83 грн
500+21.66 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10TN135K YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.78W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10TN135K Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm.

Інші пропозиції XP10TN135K за ціною від 19.37 грн до 96.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSEMI XP10TN135K.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135K Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.26 грн
25+33.33 грн
100+29.83 грн
500+21.66 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSEMI XP10TN135K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+62.04 грн
100+42.06 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K XSemi XP10TN135K-3132666.pdf MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K YAGEO XSemi XP10TN135K.pdf MOSFETs N-CH 100V 3A SOT-223
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.115 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135K Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+39.26 грн
25+33.33 грн
100+29.83 грн
500+21.66 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.41 грн
10+62.04 грн
100+42.06 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K-3132666.pdf
XP10TN135K
Виробник: XSemi
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135K XP10TN135K.pdf
XP10TN135K
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 3A SOT-223
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.