Продукція > YAGEO XSEMI > XP10TN135N
XP10TN135N

XP10TN135N YAGEO XSEMI

XP10TN135N.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.83 грн
10+32.31 грн
100+21.17 грн
500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP10TN135N YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.38W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10TN135N Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP10TN135N за ціною від 15.73 грн до 15.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSemi XP10TN135N.pdf MOSFETs N-CH 100V 2.1 A SOT-23
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSEMI XP10TN135N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N YAGEO XSEMI XP10TN135N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N X-Semi (YAGEO) xp10tn135n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.1A 3-Pin SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 2.1 A SOT-23
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N XP10TN135N.pdf
XP10TN135N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP10TN135N xp10tn135n.pdf
Виробник: X-Semi (YAGEO)
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.1A 3-Pin SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.