XP1504YT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.47 грн |
| 10+ | 78.78 грн |
| 100+ | 54.15 грн |
| 500+ | 40.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP1504YT YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK, Package / Case: 8-PowerDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції XP1504YT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
XP1504YT | XSemi |
MOSFET N-CH 150V 5A PMPAK-3x3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
XP1504YT | YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 150V 5A PMPAK-3x3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |