XP1504YT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP1504YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.05 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP1504 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 58.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP1504YT YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP1504YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.05 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.12W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP1504 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP1504YT за ціною від 33.11 грн до 149.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP1504YT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP1504YT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 150V 5A PMPAK-3x3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP1504YT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP1504YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15.8 A, 0.05 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP1504 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP1504YT | Виробник : XSemi |
MOSFET N-CH 150V 5A PMPAK-3x3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP1504YT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |