Продукція > TOREX > XP151A11B0MR-G
XP151A11B0MR-G

XP151A11B0MR-G TOREX

XP151A11B0MR.pdf Виробник: TOREX
Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.39 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP151A11B0MR-G TOREX

Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP151, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції XP151A11B0MR-G за ціною від 21.56 грн до 63.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR-G Виробник : Torex Semiconductor TOSLS00804_1-2575031.pdf MOSFET Power MOSFET, 30V, 1A, N-Type, SOT-23
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.65 грн
10+47.01 грн
100+28.33 грн
500+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR-G Виробник : TOREX XP151A11B0MR.pdf Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.89 грн
20+43.14 грн
100+29.39 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP151A11B0MR.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.