Продукція > TOREX SEMICONDUCTOR > XP151A11B0MR-G
XP151A11B0MR-G

XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor

TOSLS00804_1-2575031.pdf
Виробник: Torex Semiconductor
MOSFET Power MOSFET, 30V, 1A, N-Type, SOT-23
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.46 грн
10+46.85 грн
100+28.23 грн
500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor

Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP151, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції XP151A11B0MR-G за ціною від 21.32 грн до 74.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor Ltd XP151A11B0MR.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.82 грн
10+45.09 грн
50+33.26 грн
100+27.62 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR-G TOREX XP151A11B0MR.pdf Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR-G TOREX XP151A11B0MR.pdf Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR.pdf
XP151A11B0MR-G
Виробник: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.82 грн
10+45.09 грн
50+33.26 грн
100+27.62 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR.pdf
XP151A11B0MR-G
Виробник: TOREX
Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR.pdf
XP151A11B0MR-G
Виробник: TOREX
Description: TOREX - XP151A11B0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.