Продукція > TOREX > XP152A11E5MR-G
XP152A11E5MR-G

XP152A11E5MR-G TOREX

XP152A11E5MR.pdf Виробник: TOREX
Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP152
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.07 грн
500+18.34 грн
1000+14.13 грн
5000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP152A11E5MR-G TOREX

Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP152, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції XP152A11E5MR-G за ціною від 11.48 грн до 53.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP152A11E5MR-G XP152A11E5MR-G Виробник : TOREX XP152A11E5MR.pdf Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP152
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.60 грн
28+31.77 грн
100+25.07 грн
500+18.34 грн
1000+14.13 грн
5000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP152A11E5MR-G XP152A11E5MR-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP152A11E5MR.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.20 грн
10+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP152A11E5MR-G XP152A11E5MR-G Виробник : Torex Semiconductor XP152A11E5MR.pdf MOSFET Power MOSFET, -30V, 0.7A, P-Type, SOT-23
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.14 грн
10+43.40 грн
100+28.17 грн
500+22.74 грн
1000+17.53 грн
3000+14.08 грн
9000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP152A11E5MR-G XP152A11E5MR-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP152A11E5MR.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP152A11E5MR-G XP152A11E5MR-G Виробник : TOREX XP152A11E5MR.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.7A; Idm: -2.8A; 0.5W; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -2.8A
Drain current: -0.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.