XP161A1265PR-G Torex Semiconductor


xp161a1265pr-3371596.pdf
Виробник: Torex Semiconductor
MOSFETs Power MOSFET, 20V, 4A, N-Type, SOT-89
на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.17 грн
10+53.56 грн
100+30.65 грн
500+24.30 грн
1000+19.48 грн
2000+17.18 грн
5000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP161A1265PR-G Torex Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-89, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V.

Інші пропозиції XP161A1265PR-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
XP161A1265PR-G XP161A1265PR-G Torex Semiconductor Ltd XP161A1265PR.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP161A1265PR-G XP161A1265PR.pdf
Виробник: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.