XP222N03015R-G TOREX
Виробник: TOREXDescription: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 76+ | 11.33 грн |
| 104+ | 8.33 грн |
| 186+ | 4.64 грн |
| 500+ | 3.67 грн |
| 1000+ | 2.43 грн |
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Технічний опис XP222N03015R-G TOREX
Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP222N0301xx-G, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції XP222N03015R-G за ціною від 2.43 грн до 11.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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XP222N03015R-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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XP222N03015R-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.3A; Idm: 0.6A; 0.35W; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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