XP2301GN

XP2301GN YAGEO XSemi


XP2301GN-3435736.pdf
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S
на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.41 грн
18+18.87 грн
100+8.24 грн
1000+8.10 грн
3000+5.38 грн
9000+4.68 грн
24000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP2301GN YAGEO XSemi

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V.

Інші пропозиції XP2301GN за ціною від 8.47 грн до 32.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP2301GN XP2301GN Виробник : YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.21 грн
16+19.06 грн
100+12.06 грн
500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.