XP231N0201TR-G Torex Semiconductor Ltd
Виробник: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.80 грн |
| 6000+ | 3.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP231N0201TR-G Torex Semiconductor Ltd
Description: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP231N0201xx-G, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції XP231N0201TR-G за ціною від 4.14 грн до 26.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP231N0201TR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231N0201xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
XP231N0201TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V |
на замовлення 6596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
XP231N0201TR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231N0201xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP231N0201TR-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET N-CHANNEL 30V 0.2A |
на замовлення 13549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|