XP231P02013R-G TOREX
Виробник: TOREXDescription: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.38 грн |
| 1000+ | 1.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP231P02013R-G TOREX
Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-323-3A, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP231P0201xx-G, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції XP231P02013R-G за ціною від 2.41 грн до 36.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP231P02013R-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
XP231P02013R-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231P0201xx-G productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
XP231P02013R-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP231P02013R-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A |
на замовлення 5605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| XP231P02013R-G | Виробник : TOREX |
GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| XP231P02013R-G | Виробник : TOREX |
GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|