XP231P0201TR-G

XP231P0201TR-G Torex Semiconductor Ltd


XP231P0201TR.pdf Виробник: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.31 грн
6000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP231P0201TR-G Torex Semiconductor Ltd

Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції XP231P0201TR-G за ціною від 2.72 грн до 27.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP231P0201TR-G XP231P0201TR-G Виробник : TOREX 3118344.pdf Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.86 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-G XP231P0201TR-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP231P0201TR.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.13 грн
33+9.22 грн
100+4.71 грн
500+4.21 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-G XP231P0201TR-G Виробник : Torex Semiconductor XP231P0201TR.pdf MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.2A / SOT-23
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.40 грн
17+20.70 грн
100+8.42 грн
500+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-G XP231P0201TR-G Виробник : TOREX 3118344.pdf Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.84 грн
44+18.80 грн
112+7.28 грн
500+5.12 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.